2018년 11월 30일
MRAM
I. 자성 기반 고속 비휘발성, MRAM
가. MRAM(Magnetic Random Access Memory)의 개념
자기에 의해 데이터를 저장하는 메모리 소자 기반 TMR 효과로 전류의 흐름과 차단 구현 메모리
나. MRAM의 장단점
| 장점 | 단점 |
|---|---|
| – SRAM 정도 빠른 처리 속도 – DRAM 정도의 고집적화 – 플래시메모리 같은 비휘발성 – 저전력 메모리 구조 | – TMR을 이루는 필름의 자체저항으로 인한 신뢰도 저하 – 열효과에 의한 자성 변화로 인한 데이터 변경 가능성 |
II. MRAM 구성도 및 구현 방식
가. MRAM 구성도
 |
나. MRAM 구현 방식
| 구현 방식 | 설명 |
|---|---|
| 자기장 스위칭 (Conventional RAM) | – 외부 자기장에 의한 자성 변환 – 소자가 작아지면 고전류 필요 |
| 스핀전달토크 스위칭 (Spin Transfer Torque) | – 스핀 전류에 의한 자성 변환 – 전류 통해 선택한 cell만 스위칭 |
– STT-MRAM 방식은 직접 전류 주입 스위치 방식이므로 저전력 고집적화에 유리
III. MRAM의 기술 활용
– SRAM보다 10배 이하 전력 소모를 낮출 수 있고 비휘발성 특성으로 저전력을 요구하는 모바일, 웨어러블, 사물인터넷(IoT)용 메모리 활용 가능성
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