2018년 11월 30일
MRAM
1. 자성 기반 고속 비휘발성, MRAM
(1) MRAM(Magnetic Random Access Memory)의 개념
- 자기에 의해 데이터를 저장하는 메모리 소자 기반 TMR 효과로 전류의 흐름과 차단 구현 메모리
(2) MRAM의 장단점
| 장점 | 단점 |
|---|---|
| – SRAM 정도 빠른 처리 속도 – DRAM 정도의 고집적화 – 플래시 메모리 같은 비휘발성 – 저전력 메모리 구조 | – TMR을 이루는 필름의 자체저항으로 인한 신뢰도 저하 – 열효과에 의한 자성 변화로 인한 데이터 변경 가능성 |
3. MRAM 구성도 및 구현 방식
(1) MRAM의 구성도
 |
(2) MRAM의 구현 방식
| 구현 방식 | 설명 |
|---|---|
| 자기장 스위칭 (Conventional RAM) | – 외부 자기장에 의한 자성 변환 – 소자가 작아지면 고전류 필요 |
| 스핀전달 토크 스위칭 (Spin Transfer Torque) | – 스핀 전류에 의한 자성 변환 – 전류 통해 선택한 cell만 스위칭 |
- STT-MRAM방식은 직접 전류 주입 스위치 방식이므로 저전력 고집적화에 유리
3. MRAM의 기술 활용
- SRAM보다 10배 이하 전력 소모를 낮출 수 있고 비휘발성 특성으로 저전력을 요구하는 모바일, 웨어러블, 사물인터넷(IoT)용 메모리 활용 가능성
[참고]
- 이우영, 전기전자재료학회, MRAM 기술현황 및 연구동향, 2000.11
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