2018년 11월 30일

MRAM

I. 자성 기반 고속 비휘발성, MRAM

자기에 의해 데이터를 저장하는 메모리 소자 기반 TMR 효과로 전류의 흐름과 차단 구현 메모리

장점	단점
– SRAM 정도 빠른 처리 속도 – DRAM 정도의 고집적화 – 플래시메모리 같은 비휘발성 – 저전력 메모리 구조	– TMR을 이루는 필름의 자체저항으로 인한 신뢰도 저하 – 열효과에 의한 자성 변화로 인한 데이터 변경 가능성

구현 방식	설명
자기장 스위칭 (Conventional RAM)	– 외부 자기장에 의한 자성 변환 – 소자가 작아지면 고전류 필요
스핀전달토크 스위칭 (Spin Transfer Torque)	– 스핀 전류에 의한 자성 변환 – 전류 통해 선택한 cell만 스위칭

– STT-MRAM 방식은 직접 전류 주입 스위치 방식이므로 저전력 고집적화에 유리

– SRAM보다 10배 이하 전력 소모를 낮출 수 있고 비휘발성 특성으로 저전력을 요구하는 모바일, 웨어러블, 사물인터넷(IoT)용 메모리 활용 가능성