ReRAM (Resistance RAM)

I. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM

• 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자
• 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작

 

II. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형

가. ReRAM의 원리 / 구성요소

① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승

– Active Region – Bit line – CSP (Common Source Plate) – Dynamic Range – Word line

나. ReRAM 메커니즘 유형

구분	구성요소	설명
ON/OFF 구현방식	CCNR	– Negative 저항치차 이용
	VCNR	– 고전압, 저전류 현상 이용
저항변화 구현방식	Multi-Filaments	– 박막 내부 구조적 변화 – 필라멘트 산화물, 전극
	Electronic Switching	– 내부 전기장 변화 – 산소 결원, 전하운반체

 

III. 차세대 메모리 비교

항목	MRAM	FeRAM	PRAM	ReRAM
동작 원리	전극 전자기 방향 전환	강유전체 분극성 이용	GST 소자 상변화 이용	금속산화물 저항차 이용
장점	반복사용 고속,내구성	저전력 고속,저비용	높은 내구성 고집적화	고속,저전력 고집적
단점	신뢰성부족 고전력소모	내구성 취약	상변화 속도 느림	소자 특성 불균일

 
[참고]