ReRAM (Resistance RAM)

I. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM

• 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자
• 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작

II. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형

가. ReRAM의 원리 / 구성요소

① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승

– Active Region – Bit line – CSP (Common Source Plate) – Dynamic Range – Word line

나. ReRAM 메커니즘 유형

구분	구성요소	설명
ON/OFF 구현방식	CCNR	– Negative 저항치차 이용
	VCNR	– 고전압, 저전류 현상 이용
저항변화 구현방식	Multi-Filaments	– 박막 내부 구조적 변화 – 필라멘트 산화물, 전극
	Electronic Switching	– 내부 전기장 변화 – 산소 결원, 전하운반체

III. 차세대 메모리 비교

 
[참고]