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I. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작   II. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형 가. ReRAM의 원리 / 구성요소 ① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승 – Active Region – Bit line –

I. 자성 기반 고속 비휘발성, MRAM 가. MRAM(Magnetic Random Access Memory)의 개념 자기에 의해 데이터를 저장하는 메모리 소자 기반 TMR 효과로 전류의 흐름과 차단 구현 메모리 나. MRAM의 장단점 장점 단점 – SRAM 정도 빠른 처리 속도 – DRAM 정도의 고집적화 – 플래시메모리 같은 비휘발성 – 저전력 메모리 구조 – TMR을 이루는 필름의 자체저항으로 인한