I. 고정 할당 방식, 메모리 고정분할 할당(MFT) 가. 메모리 고정분할 할당의 개념 메모리를 여러 개의 연속된 고정 크기로 분할 할당하는 메모리 할당 기법 나. 메모리 고정분할 할당 개념도 및 설명 고정 크기 영역에 각 프로세스 할당, 분할 영역보다 프로세스의 크기가 작아 할당하고 남은 공간인 내부 단편화(Fragmentation) 발생 물리 주소는 분할 기준 레지스터(PBR) + 논리 주소로 생성 II. 가변 할당
I. 메모리 페이지 배치기법 개념 및 전략 가. 배치기법 개념 구분 개념 특징 First Fit – 첫 탐색된 적재 가능 유휴 공간 할당 – 공간 리스트의 앞 공간에 집중 할당 Best Fit – 적재 가능 유휴 공간 중 가장 작은 공간 할당 – 공간 리스트 정렬 – 할당 과정 시 검색 Next Fit – 이전 배치 후 다음 공간부터 탐색 – First Fit기법 앞 공간 집중 할당
I. 병렬 메모리 접근, 메모리 인터리빙 가. 메모리 인터리빙의 개념 메모리 접근 시간을 최소화하기 위해 여러 모듈로 나눈 메모리에 동시 접근하는 기법 나. 메모리 인터리빙 개념도 – CPU가 Bank#0에 Address#0을 보냄, CPU가 Address#1을 Bank#1에 보내고 Data#0을 Bank#0에서 수신하는 동작을 반복하여 한 개의 Bank가 Refresh하는 동안 다른 Bank Access II. 메모리 인터리빙 활용 방식 가. 상위 인터리빙 방식 설명 – 모듈 들에 순차 지정 방식 – 상위 비트: 모듈 선택 신호 – 하위 비트: 기억 장소
I. 가상의 주 기억장치 공간, 가상 메모리의 개념 – 보조 기억장치를 주 기억장치처럼 사용할 수 있도록 주소 지정이 가능하게 만든 저장공간 II. 가상 메모리의 필요성 가. 시스템 사용 측면의 필요성 필요성 설명 물리 메모리 용량의 한계 – 컴퓨터 구조 상 프로그램은 주기억장치에서 실행, 물리 메모리의 한계 메모리 크기이상 프로그램 실행 – 물리 메모리 크기 이상의 프로그램 등장에 따른 실행 방안 필요 나. 시스템 운영
I. CPU 메모리 참조 방식, 명령어 형식과 주소 지정 방식 개념도 개념 – 프로그램 수행을 위해 연산에 사용되는 명령어의 구조와 데이터가 기억장치의 주소를 지정하는 방식 – Instruction은 OPCode와 Operand 주소로 이루어져 있으며, 주소 지정 방식에 따라 기억장치를 참조 II. 명령어 형식의 분류 및 상세 설명 가. 명령어 형식의 분류 나. 명령어 형식의 상세 설명 형식 상세 설명 사례 0-주소 명령어 – 연산
I. 메모리 주소 변환 장치, MMU 가. MMU(Memory Management Unit)의 개념 CPU와 Cache 사이 불연속적 메모리 주소를 논리적 연속된 가상 주소로 맵핑 관리 장치 나. MMU 역할 주소 변환 – 실제 메모리와 가상 메모리의 주소 변환 메모리 보호 – 각 영역 간 읽기/쓰기 침범 차단 역할 II. MMU 주요 기능 및 주소 변환 과정 가. MMU 주요 기능 주요 기능 설명 주소 변환 – 가상메모리 주소를 물리 주소로 변환 특권 통제
I. SSD 활용 극대화를 위한, NVMe의 개념 PCI Express 기반의 레지스터 인터페이스에 최적화된 고성능 호스트 컨트롤러 인터페이스 II. NVMe 구조/기술요소 및 동작 방식 가. NVMe 구조/기술요소 구분 기술요소 기능 설명 대역폭 – PCIe 기반 전송 – PCIe 대역폭 그대로 사용 – PCIe 3.0 슬롯, 최대 4GB/s 병렬 처리 – 멀티 Queue – 64K 큐기반 병렬 처리 – 큐 하나당 64K 명령처리 데이터 처리 – 레지스터 – 명령어 세트 – 다이렉트 접근, I/O 수행 – 10개 Admin, 4개 I/O 인터럽트 – MSI-X
I. 운영체제 파일시스템, 디스크 할당 기법 가. 디스크 할당 기법 개념 운영체제에서 파일을 효율적으로 저장/사용하기 위해 파일을 디스크에 할당하는 방식 결정 기법 나. 디스크 할당 기법의 유형 기법 기법 설명 파일시스템 연속 할당 – 연속된 디스크 블록 할당 – (장) 파일 읽기/쓰기/탐색 속도 – (단) 파일 크기 변화 시 문제발생 – LFS, F2Fs – XFS, ZFS 불연속 할당 – 블록 위치 정보 기록 필요 – (장) 파일
I. 고속, 저전력, 비휘발성 저장매체, 플래시 메모리 가. 플래시 메모리의 개념 기계적 동작이 없는 순수 반도체로 이루어져 빠른 속도와 전력소모가 적은 비휘발성 메모리 나. 플래시 메모리의 특징 특징 설명 덮어쓰기 연산이 제한적 – 덮어쓰기 불가능 시 기존 페이지 무효화 후 새로운 페이지에 기록 소거 연산 오버헤드 – 무효화 페이지 재사용 위해 소거 연산을 먼저 수행하여 오버헤드 발생 II. 플래시 메모리 쓰기, 삭제, 읽기 과정 가. 플래시 메모리 구조 – 2층
I. 쓰기 균등분배 기법, Wear-Leveling의 개념 반복 쓰기로 인한 메모리 셀 수명 단축 방지를 위해 FTL에서 모든 메모리 셀에 쓰기를 균등 분배하는 기술 II. Wear-Leveling의 과정과 유형 가. Wear-Leveling의 과정 각 셀에 쓰기 후 삭제 시 Invalid 표시, 블록이 Full 되면 컨트롤러 제어에 의해 Garbage Collection 실행, Data는 이동 나. Wear-Leveling의 유형 항목 정적 Wear-Leveling 동적 Wear-Leveling 개념 – 블록 쓰기 횟수 감시 – 낮은 사용 블록 기록 – 쓰여진 블록 제외 – 빈 블록 검색/기록 영역