I. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작 II. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형 가. ReRAM의 원리 / 구성요소 ① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승 – Active Region – Bit line –
I. 강유전체 비휘발성 메모리, FeRAM 가. FeRAM(Ferroelectric RAM)의 개념 강유전체의 이력현상(히스테리시스) 기반 유전체막의 전기적 잔류 분극 극성에 따라 정보 기록 비휘발성 메모리 나. FeRAM의 특징 특징 설명 비휘발성 – 전원 비인가되어도 정보 유지 낮은 전압 – 상대적 낮은 전압으로 정보를 재기록 Polarization – Storage type이 아닌 Polarization type II. FeRAM의 구조 및 메모리 기록