I. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작 II. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형 가. ReRAM의 원리 / 구성요소 ① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승 – Active Region – Bit line –
I. 상변화 기반 초고속 비휘발성 메모리, PRAM 가. PRAM(Phase Change Random Access Memory)의 개념 GST(GeSbTe)의 상변화에 따른 저항치 기반 고속의 비휘발성 메모리 반도체 GST: (GeSbTe, 게르마늄 안티몬 텔룰라이드, 칼코게나이드) 나. PRAM의 장점 고속비휘발성 – 초고속 DRAM과 비휘발성 Flash 장점 보유 대량생산가능 – 구조 및 제작공정 단순하여 대량생산 용이 신뢰성 – 70도 고온에서 10년 데이터 보관