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1. 메모리 중심 컴퓨팅 (Memory-Centric Computing) 개요 개념 대용량 데이터 고속/저지연 처리를 위해 RoCE, HBM 등 메모리 반도체가 패브릭 연결망 통해 저장, 연산 역할을 담당하는 차세대 컴퓨팅 아키텍처 필요성 현대 컴퓨팅 패러다임은 인공지능 서비스 등 대용량 데이터 처리가 필요한 컴퓨팅으로 변화되고 있어, RoCE, HBM, CXL 등 메모리 용량 및 대역폭 한계를 극복하는 메모리 중심 컴퓨팅

1. Oxide 저항 변화 메모리, ReRAM 비휘발성 데이터 저장 위해 금속산화물의 전기적신호에 따른 저항치 변화 기반 차세대 메모리 소자 메모리 중심컴퓨팅 위한 고집적, 저전력, 비휘발성, 고속동작   2. ReRAM 원리/구성요소 및 메커니즘 유형 (1) ReRAM의 원리 / 구성요소 ① 고저항(OFF) ② 저항치 감소 ③ 저저항(ON) ④ 저항치 상승 – Active Region – Bit line –