[카테고리:] CA/운영체제

플래시 메모리

1. 고속, 저전력, 비휘발성 저장매체, 플래시 메모리 (1) 플래시 메모리의 개념 기계적 동작이 없는 순수 반도체로 이루어져 빠른 속도와 전력소모가 적은 비휘발성 메모리 (2) 플래시 메모리의 특징 특징 설명 덮어쓰기 연산이 제한적 – 덮어쓰기 불가능 시 기존 페이지 무효화 후 새로운 페이지에 기록 소거 연산 오버헤드 – 무효화 페이지 재사용 위해 소거 연산을 먼저 수행하여 오버헤드 발생   2. 플래시

Wear-Leveling

1. 쓰기 균등분배 기법, Wear-Leveling의 개념 반복 쓰기로 인한 메모리 셀 수명 단축 방지를 위해 FTL에서 모든 메모리 셀에 쓰기를 균등 분배하는 기술   2. Wear-Leveling 과정과 유형 (1) Wear-Leveling 과정 각 셀에 쓰기 후 삭제 시 Invalid 표시, 블록이 Full 되면 컨트롤러 제어에 의해 Garbage Collection 실행, Data는 이동 (2) Wear-Leveling의 유형 항목 정적 WearLeveling 동적 WearLeveling 개념 – 블록 쓰기 횟수 감시 – 낮은 사용 블록 기록

DMA (Direct Memory Access)

I. I/O로 인한 성능 감소 방지, DMA (Direct Memory Access) (1) DMA(Direct Memory Access) 개념 I/O로 인한 성능 감소 방지 위해 CPU 개입 없이 I/O 장치와 기억장치 간 직접 데이터 전송 방식 (2) DMA I/O와 Direct I/O 환경 비교 DMA I/O Direct I/O(DMA 미사용) – DMA 기반 Data 처리 중 CPU는 다른 프로세스 처리 – Data

메모리 연동 구조

1. 메모리 연동 구조 (1) 메모리 연동 구조의 시스템 구성 기법 기법 구성도 설명 SMP – 강결합 방식 공유 메모리 – 메모리 입출력 공유 – 단일 OS가 프로세스 관리 – 메모리 관리 용이 MPP – 약결합 방식 분산 메모리 – 각 CPU에 메모리 독립 – 메시지 패싱 방식 전달 – 여러 프로세스 동시 수행 (2)

폰노이만 아키텍처

1. 현대 컴퓨터의 기반 구조, 폰노이만 아키텍처 개념도 개념 – 메모리에서 명령어를 인출, CU에서 해석, ALU에서 연산하여 저장하는 현대 컴퓨터 구조의 기반 아키텍처   2. 폰노이만 아키텍처 구성도 및 구성요소 (1) 폰노이만 아키텍처의 구성도 CPU는 한 번에 하나의 명령어만 실행 가능(SISD) (2) 폰노이만 아키텍처의 구성요소 구분 구성요소 설명 CPU ALU – 산술 논리 연산 기능